您現(xiàn)在的位置:  
 首 頁(yè) > ADS > 技術(shù)文章 > 射頻低噪聲放大器的ADS設(shè)計(jì)

射頻低噪聲放大器的ADS設(shè)計(jì)

文章來(lái)源: 互聯(lián)網(wǎng)    錄入: mweda.com    點(diǎn)擊數(shù):


3. 低噪聲放大器設(shè)計(jì)仿真及優(yōu)化yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

3.1 設(shè)計(jì)目標(biāo)yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
本文低噪聲放大器的設(shè)計(jì)目標(biāo)是:yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
頻率:2.1GHz~2.4GHz 噪聲系數(shù):小于0.5dB (純電路噪聲系數(shù)不考慮連接損耗)yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
增益:大于15dB 增益平坦度:每10MHZ 帶內(nèi)小于0.1 dByVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
輸入輸出駐波比:小于2.0 輸入輸出阻抗:50ΩyVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
3.2 仿真設(shè)計(jì)yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
在較高的頻段設(shè)計(jì)低噪聲放大器,通常選用場(chǎng)效應(yīng)管FET 和高電子遷移率晶體管(HEMT)。影響放大器噪聲系數(shù)的因素有很多,除了選用性能優(yōu)良的元器件外,電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是否合理也是非常重要的。放大器的噪聲系數(shù)和信號(hào)源的阻抗有關(guān),放大器存在著最佳的信號(hào)源阻抗Zso,如果所示,此時(shí),放大器的噪聲系數(shù)應(yīng)該是最小的,所以放大器的輸入匹配電路應(yīng)該按照噪聲最佳來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì),也就是根據(jù)所選晶體管的Гopt 來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。為了得到較高的功率增益和較好的輸出駐波比,輸出匹配電路則采用共扼匹配。輸入匹配電路在達(dá)到最佳噪聲時(shí),放大器的輸入阻抗未必恰好與信號(hào)源阻抗匹配,因而功率放大倍數(shù)不是最大。設(shè)計(jì)放大器時(shí),首先考慮的是噪聲盡可能低,其次才考慮增益的問(wèn)題。因此,犧牲一點(diǎn)增益來(lái)?yè)Q取噪聲系數(shù)的降低是必要的,兩者之間應(yīng)該取一個(gè)合適的折中。LNA 采用兩級(jí)放大的方式來(lái)實(shí)現(xiàn),為使放大器具有更低的噪聲,第一級(jí)的工作點(diǎn)應(yīng)根據(jù)最小噪聲系數(shù)來(lái)選取最佳的工作電流。為保證有足夠的增益,第二級(jí)應(yīng)從最佳增益條件來(lái)考慮,同時(shí)兼顧噪聲。yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
具體的設(shè)計(jì)流程:yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
1.首先選擇合適的器件。選擇適用于工作頻率且具有可接受的增益和噪聲系數(shù)的BJT、JEFT 和MESFET。工作頻率在6GHz 以下時(shí),大多使用雙極晶體管;工作頻率在6GHz 以上時(shí),大多選用場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而且,通常要求晶體管的截至頻率大于或等于2-3 倍的工作頻率。低噪聲放大器則要求截至頻率更高一些。本文選取NEC 公司低噪聲產(chǎn)品系列的yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
NE3210S01 N 溝道HJ-FET,其性能如圖2 所示,它在2-4GHz 的頻寬內(nèi)增益在18dB 以上,噪聲系數(shù)在0.5dB 以下,符合設(shè)計(jì)指標(biāo)。上網(wǎng)下載并安裝NEC 公司提供的ADS Design Kit for NEC Electronics,該工具包集成了NEC 系列低噪聲放大器的FET、JBJT、HJ-FET,安裝在ADS 中后可以從元件庫(kù)面板中選擇所需的管子。由于Design Kit 中的元器件是已經(jīng)封裝好的晶體管,所以無(wú)需再在ADS 中建立其Spice 模型,直接從手冊(cè)中查到所選取管子在特定偏置下的各個(gè)工作點(diǎn)的S 參數(shù),從中選擇恰當(dāng)?shù)墓ぷ鼽c(diǎn),使得以此為依據(jù)在電路原理圖中設(shè)計(jì)偏置電路。合適且穩(wěn)定的工作點(diǎn)決定了管子的動(dòng)態(tài)范圍,是保證放大器不出現(xiàn)平頂失真的前提,而且直接影響放大器的高頻穩(wěn)定性,本文選擇典型的靜態(tài)工作點(diǎn)VDS=2.0V,ID=10mA【4】。
yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
圖2 NE3210S01 的S 參數(shù)以及增益、噪聲特性yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
2.晶體管S 參數(shù)的測(cè)量并確定工作點(diǎn)。利用ADS 的S 參數(shù)仿真在所需要的頻帶內(nèi)求出低噪管的S 參數(shù),并與手冊(cè)所提供的S 參數(shù)對(duì)比,通過(guò)調(diào)整柵源電壓VGD 不斷修正S 參數(shù)最終得到合適的偏置電路。由于外界因素中溫度對(duì)回路的Q 值影響最大,故偏置電路在S參數(shù)仿真時(shí)應(yīng)注意按照提示窗口所給出的信息修改模型的溫度,本文管子的仿真環(huán)境溫度為16.85℃。加好偏置電路之后測(cè)試結(jié)果如圖3 所示VGD=-0.526v, ID=9.87mA,VD=2.0V。yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

 yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

圖3 低噪管的I-V 特性yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

 yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

圖4 穩(wěn)定判據(jù)μ 參數(shù)的頻率響應(yīng)曲線yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)

3.低噪管穩(wěn)定性的判斷。穩(wěn)定性的判斷可以通過(guò)K-Δ 公式或源端和負(fù)載端穩(wěn)定系數(shù)圓來(lái)判斷,前者通常用來(lái)判斷放大器是否處于絕對(duì)穩(wěn)定的情況。對(duì)于低噪聲放大器的第一級(jí),主要性能是以降低噪聲系數(shù)為目標(biāo)的,故常處于條件穩(wěn)定的情形,而設(shè)計(jì)最大增益放大器時(shí)采用雙端共軛匹配,這時(shí)候射頻電路必須處于絕對(duì)穩(wěn)定才能保證復(fù)數(shù)共軛同時(shí)成立。yVC安規(guī)與電磁兼容網(wǎng)
在S 參數(shù)仿真中添加源穩(wěn)定判別圓和負(fù)載穩(wěn)定判別圓,等增益圓和噪聲系數(shù)圓等控件,并分別設(shè)置好參數(shù)大小,本文選取增益分別為8dB、15dB、20dB,噪聲系數(shù)NF=0.5dB,在仿真后的smith 圓圖顯示出系列圓圖,如圖5 所示。找到穩(wěn)定區(qū)域,由于S11 的絕對(duì)值小于1,故smith 圓圖內(nèi)處于源穩(wěn)定判別圓外的ΓS 都是穩(wěn)定的。但是由輸出穩(wěn)定判別圓可以看出該低噪管在工作頻率下輸出并非絕對(duì)穩(wěn)定,為了避免自激的發(fā)生,實(shí)現(xiàn)全頻帶的穩(wěn)定性,可以通過(guò)負(fù)反饋手段使晶體管進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。常用的手段是在場(chǎng)管源極串接一電感或者傳輸線,這樣可以改變放大器的輸入阻抗,從而通過(guò)調(diào)整源極影響S11*使之靠近Гopt, 有利于噪聲匹配和輸入端功率匹配的同時(shí)實(shí)現(xiàn),而且實(shí)際上源極反饋對(duì)放大器噪聲的影響很小。本文在低噪管源端串聯(lián)一個(gè)1.0nH 的電感,使晶體管處于絕對(duì)穩(wěn)定狀態(tài),由μ 判據(jù)可以看出在3-6Ghz 頻段內(nèi)放大器都處于絕對(duì)穩(wěn)定狀態(tài),如圖4 所示。另外在輸出串聯(lián)一個(gè)15Ohm 電阻,用來(lái)改善放大器的增益平坦度和輸出駐波比。

上一頁(yè)  [1] [2] [3] [4] 下一頁(yè)

推薦課程

射頻工程師學(xué)習(xí)培訓(xùn)教程