仿真時出現(xiàn)的unstable問題，請教！(已修改)

偶在仿真一個芯片封裝時,在"Transient Analysis....Process excitation"結(jié)束后，CST報告
“the calculation seems to be unstable，”， 然后就被迫“abort"了。

但是根據(jù)提示去作（就是減少PBA fill limit, 或者減少stability factor，
俺試了很多個值），
上述問題仍舊存在，CST就是不給算，郁悶！

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2007-06-06 新補充：

看樣子很難哦，已經(jīng)試了2個星期了，沒有太大進展。
現(xiàn)在俺把一些主要的參數(shù)列一下，看各位高人有沒有辦法。
主要是一個多層結(jié)構(gòu)，見圖（由于有版權(quán)問題，所以不能顯示結(jié)構(gòu)全圖，抱歉了）
空間波長為7mm,但是金屬層厚度為0.015mm，層間間隔為0.025mm，有多層此種結(jié)構(gòu)。
整個部件size為 7X5X2mm. 2 pin 共 4 個i/o口,用lumped port設(shè)置（不能用wave port)
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當(dāng)前的考慮，若考慮到采樣率（PPW - point per wavelength)，最小關(guān)鍵尺寸為0。015mm,那么
ppw = 0.015/7 = 470，mesh數(shù)將達到1.6e9，內(nèi)存需求>2GB,CST2006B不讓算了。
若采用CST example 中的“IC package"方法，ppw = 15, 邊mesh點數(shù)=20, cell size ration = 20;
加上"subgrid" 和 "adaptive mesh",總cell數(shù)降為2e6;但是還是"unstable".
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由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，mesh太密，手工修改mesh沒有意義。

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各位大大，有啥子建議不？