最后，具有多個(gè)功能模塊的晶體管級(jí)電路以及包含所有擷取寄生效應(yīng)的全芯片驗(yàn)證可使用一種系統(tǒng)(行為級(jí))測(cè)試平臺(tái)來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖15描述了全芯片驗(yàn)證系統(tǒng)測(cè)試平臺(tái)。MBOA位和訊框的精確時(shí)域波形被自動(dòng)地連接到接收機(jī)電路的輸入。
圖15：在系統(tǒng)測(cè)試平臺(tái)上對(duì)無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)進(jìn)行晶體管級(jí)全芯片驗(yàn)證
Nexxim使用HFSS擷取的寄生效應(yīng)進(jìn)行電路仿真，產(chǎn)生的全芯片分析結(jié)果包括接收器輸入訊號(hào)頻譜圖，如圖16a所示，而圖16b則顯示了接收器上檢測(cè)到的QPSK符號(hào)的星座圖。
圖16：全芯片驗(yàn)證仿真結(jié)果(a) 接收機(jī)輸入端頻譜
圖16：全芯片驗(yàn)證仿真結(jié)果(b) 接收機(jī)檢測(cè)到的QPSK符號(hào)星座圖
本文小結(jié)
工程師和EDA供貨商了解成功的RFIC設(shè)計(jì)需要一個(gè)具有四種主要組件的開發(fā)基礎(chǔ)架構(gòu)，分別是：
1. 支持時(shí)域和頻域分析以及很大晶體管數(shù)量和在這樣的組件中發(fā)現(xiàn)的諧波部份的電路仿真技術(shù)；
2. 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的基于電磁的建模過(guò)程，這個(gè)過(guò)程能提供準(zhǔn)確的、可擴(kuò)展的被動(dòng)組件以及開/關(guān)芯片互連和封裝寄生參數(shù)描述；
3. 完善建立的設(shè)計(jì)流程，這個(gè)設(shè)計(jì)流程將這個(gè)電路仿真與EM技術(shù)銜接到經(jīng)代工廠驗(yàn)證的組件模型、參數(shù)布局單元以及實(shí)體實(shí)現(xiàn)能力(如DRC與LVS)；
4. 系統(tǒng)級(jí)開發(fā)工具用于開始的連接估算與最終的‘測(cè)試平臺(tái)’設(shè)計(jì)驗(yàn)證。Ansoft的技術(shù)領(lǐng)先的分析工具能直接進(jìn)入到已建立的IC設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程，以滿足這些嚴(yán)格的要求。